半導體電阻率測量儀TD-SB100A/2 本儀器采用四探針法原理來實現對不同金屬、半導體、導電高分子材料的電阻及電阻率的測量

半導體電阻率測量儀TD-SB100A/2

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要，本儀器采用四探針法原理來實現對不同金屬、半導體、導電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實驗，對導體/半導體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產品的電阻測量范圍可達10-6—106Ω。

半導體電阻率測量儀TD-SB100A/2（使用環境5—40℃，相對濕度<80%，供電220V  50Hz，為實驗室環境使用）

TD-SB100A/2由SB118直流電壓電流源、PZ158A直流數字電壓表、SB120/2四探針樣品測試平臺三部分組成。
lSB118直流電壓電流源：是一臺4½位的電壓源及電流源，既可輸出5µV—50V，5檔可調電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA—100mA，5檔可調電流，基本誤差為
±（0.03%RD+0.02%FS）詳見本公司產品SB118。
l            PZ158A直流數字電壓表：具有6½位字長，0.1μV電壓分辨力的帶單片危機處理技術的高精度電子測量儀器，可測量0-1000V直流電壓。基本量程的基本誤差為±（0.002%RD+0.0005%FS），詳見本公司產品PZ158A。
l            SB120/2四探針樣品測試平臺：該測試平臺120/1測試平臺的改進型。其有底座、支架、旋動部件、樣品平臺、四探針及接線板等組成。由于其整個結構及旋動方式都在原SB120/1的基礎上作了很大的改進，故在高校的物理實驗及科學研究總為導體/半導體/金屬薄膜材料的電阻和電阻率的測試、研究提供了較大的方便

四探針導體 半導體電阻率測量儀 

產品名稱：微機熔點儀 產品型號： WRS-2

微機熔點儀 型號：HB-WRS-2

根據物理化學的定義，物質熔點是指該物質由固態變為液態時的溫度。在有機化學領域中，熔點測定是認辯物質本性的基本手段，也是純度測定的重要方法之一。因此，熔點儀在化學工業、醫藥研究中具有重要地位，是生產藥物、香料、染料及其它有機晶體物質的*儀器。

HB-WRS-2型微機熔點儀采用光電檢測，LCD液晶顯示等技術，具有顯示初熔、終熔、熔化曲線及測量結果等功能。儀器采用藥典規定的毛細管作為樣品管。

熔點儀測量范圍：室溫-300℃

溫度數顯小示值：0.1℃

升溫素率:0.2,0.5,1.0,1.5,2.0,3.0,4.0,5.0(℃/min)

毛細管尺寸：外經￠1.4mm，內徑￠1.0mm

測量示值誤差：<200℃：±0.5℃

         200℃-300℃：±0.5℃

重復性：升溫速度0.2℃/min時0.2℃

       升溫速度1.0℃/min時0.3℃

特點：顯示熔化曲線及測量結果

產品名稱：植物冠層分析儀 植物冠層檢測儀 產品型號：TDP-1000

植物冠層分析儀/植物冠層檢測儀 型號：TDP-1000
植物冠層分析儀的功能與特點: 
植物冠層分析用途： 
可廣泛應用于農業生產和農業科研，為進行冠層光能資源調查，測量植物冠層中光線的攔截，研究作物的生長發育、產量品質與光能利用間的關系，本儀器用于400nm－700nm波段內的光合有效輻射（PAR）測量、記錄,測量值的單位是平方米•秒上的微摩爾（μmols-1m-2）。 

植物冠層分析儀特點： 
1.儀器將顯示屏、操作按鍵、存儲SD卡及測量探桿一體化設計，操作簡單，體積小，攜帶方便 
2.存儲介質采用SD卡，存儲容量大，數據管理方便 
3.具有自動休眠功能 
4.測量方式分為自動和手動兩種。自動測量時間間隔zui小1分鐘，自動測量次數zui大99次，手動測量根據實際需要手動采集 
植物冠層分析儀技術參數: 
1、測量范圍：0-2700μmol m-2s-1 
2、分辨率：1μmol m-2s-1 
相對差度（譜響應）：＜10%（對植冠） 
精度：<測量值的±0.5%±1個字 
準確度：<測量值的±5%±1個字（相對于NIM標準 
自動采集間隔：可選1-99分鐘 
自動采集次數：1-99次 
數據存儲容量：2GB（標配SD卡） 
儀器總長度：75cm 
探桿長度：50cm 
傳感器數量：25個（標配） 
電源：2節5號電池 
工作環境：0°C-60°C；100%相對濕度 
穩定性：一年內變化＜±2% 

植物冠層分析儀手持機示意圖：